CAT5113VI-00-GT3 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour CAT5113VI-00-GT3, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour CAT5113VI-00-GT3 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez CAT5113VI-00-GT3 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
CAT5113VI-00-GT3
- Modèle de produit:
- CAT5113VI-00-GT3
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- IC POT DIGITL 100K 100TAP 8SOIC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 37435 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- CAT5113VI-00-GT3.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Alimentation: | 2.5 V ~ 6 V |
| Tolérance: | ±20% |
| Coefficient de température (Typ): | 300 ppm/°C |
| Taper: | Linear |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | - |
| Résistance - Essuie glace (Ohms) (Typ): | 1000 (Max) |
| Résistance (Ohms): | 100k |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | CAT5113VI-00-GT3-ND CAT5113VI-00-GT3OSTR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C |
| Nombre de robinets: | 100 |
| Nombre de circuits: | 1 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Interface: | Up/Down (U/D, INC, CS) |
| Caractéristiques: | - |
| Description détaillée: | Digital Potentiometer 100k Ohm 1 Circuit 100 Taps Up/Down (U/D, INC, CS) Interface 8-SOIC |
| Configuration: | Potentiometer |
| Numéro de pièce de base: | CAT5113 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes CAT5113VI-00-GT3
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash