C2012C0G1H103J/10 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour C2012C0G1H103J/10, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour C2012C0G1H103J/10 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez C2012C0G1H103J/10 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
C2012C0G1H103J/10
- Modèle de produit:
- C2012C0G1H103J/10
- Fabricant:
- TDK Corporation
- La description:
- CAP CER 10000PF 50V C0G 0805
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 23979 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.C2012C0G1H103J/10.pdf2.C2012C0G1H103J/10.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension nominale - CA: | - |
| Tension - Nominale: | 50V |
| Tolérance: | 10000pF |
| Epaisseur (max): | C0G, NP0 |
| Surface Mount Dimensions du terrain: | - |
| Taille / Dimension: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Séries: | C |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Courant d'ondulation - Faible fréquence: | General Purpose |
| évaluations: | - |
| Polarisation: | 0805 (2012 Metric) |
| Autres noms: | C2012C0G1H103JT/10 C2012C0G1H103JT10 C2012C0G1H103JT10-ND C2012COG1H103J/10 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 125°C |
| Type de montage: | Surface Mount, MLCC |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | C2012C0G1H103J/10 |
| Type fil: | 0.028" (0.70mm) |
| Hauteur - Installé (max): | - |
| Caractéristiques: | - |
| Taux d'échec: | - |
| Description élargie: | 10000pF ±5% 50V Ceramic Capacitor C0G, NP0 0805 (2012 Metric) |
| ESR (résistance série équivalente): | ±5% |
| La description: | CAP CER 10000PF 50V C0G 0805 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes C2012C0G1H103J/10
Latest Nouvelles
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti