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BSO615NGHUMA1
- Modèle de produit:
- BSO615NGHUMA1
- La description:
- MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 30400 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- BSO615NGHUMA1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
| Package composant fournisseur: | PG-DSO-8 |
| Séries: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 2W |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | BSO615NGHUMA1DKR BSO615NGINDKR BSO615NGINDKR-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.6A |
| Numéro de pièce de base: | BSO615 |
| Email: | [email protected] |
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