BSC029N025S G
BSC029N025S G
Modèle de produit:
BSC029N025S G
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
47992 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
BSC029N025S G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 80µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TDSON-8
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.8W (Ta), 78W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:BSC029N025S G-ND
BSC029N025SGINTR
BSC029N025SGXT
SP000095465
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5090pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:N-Channel 25V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:24A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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