BC857BLP-7B est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour BC857BLP-7B, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour BC857BLP-7B par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez BC857BLP-7B avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
BC857BLP-7B
- Modèle de produit:
- BC857BLP-7B
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006-3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 53451 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- BC857BLP-7B.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 250mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 3-UFDFN |
| Autres noms: | BC857BLP-7BDITR BC857BLP7B |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 220 @ 2mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 15nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Numéro de pièce de base: | BC857BLP |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes BC857BLP-7B
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement