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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BC546B A1G
BC546B A1G
BC546B A1G
Modèle de produit:
BC546B A1G
Fabricant:
TSC (Taiwan Semiconductor)
La description:
TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 200A
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
52283 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
BC546B A1G.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:-
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-92
Séries:-
Puissance - Max:500mW
Emballage:Tape & Box (TB)
Package / Boîte:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Autres noms:BC546B A1G-ND
BC546BA1G
Température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100mA 500mW Through Hole TO-92
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):15nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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