AT49LD3200-10TI est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour AT49LD3200-10TI, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour AT49LD3200-10TI par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez AT49LD3200-10TI avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
AT49LD3200-10TI
- Modèle de produit:
- AT49LD3200-10TI
- Fabricant:
- Micrel / Microchip Technology
- La description:
- IC FLASH 32M PARALLEL 86TSOP II
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 40370 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- AT49LD3200-10TI.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 3 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | FLASH |
| Package composant fournisseur: | 86-TSOP II |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 32Mb (1M x 32, 2M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FLASH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée: | FLASH Memory IC 32Mb (1M x 32, 2M x 16) Parallel 100MHz 170ns 86-TSOP II |
| Fréquence d'horloge: | 100MHz |
| Numéro de pièce de base: | AT49LD3200 |
| Temps d'accès: | 170ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes AT49LD3200-10TI
Latest Nouvelles
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires