APTSM120AM55CT1AG
Modèle de produit:
APTSM120AM55CT1AG
Fabricant:
Microsemi
La description:
POWER MODULE - SIC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
39541 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTSM120AM55CT1AG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 2mA
Package composant fournisseur:SP1
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 40A, 20V
Puissance - Max:470W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5120pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:272nC @ 20V
type de FET:2 N-Channel (Dual), Schottky
Fonction FET:Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 74A (Tc) 470W Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:74A (Tc)
Email:[email protected]

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