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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM20DAM08TG
APTM20DAM08TG
Modèle de produit:
APTM20DAM08TG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
43595 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APTM20DAM08TG.pdf2.APTM20DAM08TG.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SP4
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 104A, 10V
Dissipation de puissance (max):781W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP4
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:N-Channel 200V 208A (Tc) 781W (Tc) Chassis Mount SP4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:208A (Tc)
Email:[email protected]

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