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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTC60HM70BT3G
APTC60HM70BT3G
Modèle de produit:
APTC60HM70BT3G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21090 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTC60HM70BT3G.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 2.7mA
Package composant fournisseur:SP3
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 39A, 10V
Puissance - Max:250W
Emballage:Tray
Package / Boîte:SP3
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:259nC @ 10V
type de FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:39A
Email:[email protected]

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