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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G
Modèle de produit:
APT50GN60BDQ2G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 107A 366W TO247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
46142 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APT50GN60BDQ2G.pdf2.APT50GN60BDQ2G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 50A
Condition de test:400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:20ns/230ns
énergie de commutation:1185µJ (on), 1565µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:-
Puissance - Max:366W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:APT50GN60BDQ2GMI
APT50GN60BDQ2GMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:325nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):150A
Courant - Collecteur (Ic) (max):107A
Email:[email protected]

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