AOWF2606
AOWF2606
Modèle de produit:
AOWF2606
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 60V 13A TO262F
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
59056 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.AOWF2606.pdf2.AOWF2606.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-262F
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.1W (Ta), 33.3W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Autres noms:785-1448-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4050pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:75nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 13A (Ta), 51A (Tc) 2.1W (Ta), 33.3W (Tc) Through Hole TO-262F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:13A (Ta), 51A (Tc)
Email:[email protected]

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