AOTF2610L
AOTF2610L
Modèle de produit:
AOTF2610L
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 60V 35A TO220F
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
27259 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.AOTF2610L.pdf2.AOTF2610L.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3F
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.1W (Ta), 31W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Autres noms:785-1638-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2007pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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