74LVC126AS14-13 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 74LVC126AS14-13, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 74LVC126AS14-13 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 74LVC126AS14-13 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
74LVC126AS14-13
- Modèle de produit:
- 74LVC126AS14-13
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14SO
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 54135 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 74LVC126AS14-13.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Alimentation: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Package composant fournisseur: | 14-SO |
| Séries: | 74LVC |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Le type de sortie: | 3-State |
| Autres noms: | 74LVC126AS14-13DI 74LVC126AS14-13DI-ND 74LVC126AS14-13DITR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Le nombre d'éléments: | 4 |
| Nombre de bits par élément: | 1 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de logique: | Buffer, Non-Inverting |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | - |
| Description détaillée: | Buffer, Non-Inverting 4 Element 1 Bit per Element 3-State Output 14-SO |
| Courant - Sortie Haut, Bas: | 24mA, 24mA |
| Numéro de pièce de base: | 74LVC126 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 74LVC126AS14-13
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement