74ACT11008PWRE4 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 74ACT11008PWRE4, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 74ACT11008PWRE4 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 74ACT11008PWRE4 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
74ACT11008PWRE4
- Modèle de produit:
- 74ACT11008PWRE4
- Fabricant:
- TI
- La description:
- IC GATE AND 4CH 2-INP 16TSSOP
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 53412 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 74ACT11008PWRE4.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Alimentation: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Package composant fournisseur: | 16-TSSOP |
| Séries: | 74ACT |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C |
| Nombre d'entrées: | 2 |
| Nombre de circuits: | 4 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Délai de propagation @ V, Max CL: | 8ns @ 5V, 50pF |
| Type de logique: | AND Gate |
| Niveau logique - Bas: | 0.8V |
| Niveau logique - Haut: | 2V |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Caractéristiques: | - |
| Description détaillée: | AND Gate IC 4 Channel 16-TSSOP |
| Courant - Repos (Max): | 4µA |
| Courant - Sortie Haut, Bas: | 24mA, 24mA |
| Numéro de pièce de base: | 74ACT11008 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 74ACT11008PWRE4
Latest Nouvelles
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC