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70V657S10DRG8
- Modèle de produit:
- 70V657S10DRG8
- Fabricant:
- IDT (Integrated Device Technology)
- La description:
- IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 46442 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 70V657S10DRG8.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 10ns |
| Tension - Alimentation: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| La technologie: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Package composant fournisseur: | 208-PQFP (28x28) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 208-BFQFP |
| Autres noms: | IDT70V657S10DRG8 IDT70V657S10DRG8-ND |
| Température de fonctionnement: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | SRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28) |
| Numéro de pièce de base: | IDT70V657 |
| Temps d'accès: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
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