70V639S12BCI est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 70V639S12BCI, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 70V639S12BCI par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 70V639S12BCI avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
70V639S12BCI
- Modèle de produit:
- 70V639S12BCI
- Fabricant:
- IDT (Integrated Device Technology)
- La description:
- IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 26662 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 70V639S12BCI.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 12ns |
| Tension - Alimentation: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| La technologie: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Package composant fournisseur: | 256-CABGA (17x17) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 256-LBGA |
| Autres noms: | IDT70V639S12BCI IDT70V639S12BCI-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 2.25Mb (128K x 18) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | SRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17) |
| Numéro de pièce de base: | IDT70V639 |
| Temps d'accès: | 12ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 70V639S12BCI
Latest Nouvelles
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète
- X-FAB introduit la technologie d'éclairage du capteur d'image pour améliorer les performances du capteur CMOS