70V639S10BF8
70V639S10BF8
Modèle de produit:
70V639S10BF8
Fabricant:
IDT (Integrated Device Technology)
La description:
IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
45014 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
70V639S10BF8.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Écrire le temps de cycle - Word, Page:10ns
Tension - Alimentation:3.15 V ~ 3.45 V
La technologie:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Package composant fournisseur:208-CABGA (15x15)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:208-LFBGA
Autres noms:IDT70V639S10BF8
IDT70V639S10BF8-ND
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:2.25Mb (128K x 18)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
Numéro de pièce de base:IDT70V639
Temps d'accès:10ns
Email:[email protected]

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