4304M-101-202 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 4304M-101-202, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 4304M-101-202 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 4304M-101-202 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
4304M-101-202
- Modèle de produit:
- 4304M-101-202
- Fabricant:
- Bourns, Inc.
- La description:
- RES ARRAY 3 RES 2K OHM 4SIP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 41392 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 4304M-101-202.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tolérance: | ±2% |
| Coéfficent de température: | ±100ppm/°C |
| Package composant fournisseur: | 4-SIP |
| Taille / Dimension: | 0.384" L x 0.085" W (9.75mm x 2.16mm) |
| Séries: | 4300M |
| Rapport résistance-dérive: | 50 ppm/°C |
| Rapport de correspondance de résistance: | - |
| Résistance (Ohms): | 2k |
| Puissance par élément: | 250mW |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 4-SIP |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 125°C |
| Nombre de résistances: | 3 |
| Nombre de broches: | 4 |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Hauteur - Installé (max): | 0.250" (6.35mm) |
| Description détaillée: | 2k Ohm ±2% 250mW Power Per Element Bussed 3 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 4-SIP |
| type de circuit: | Bussed |
| Applications: | - |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 4304M-101-202
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
4304M-101-102LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 1K OHM 4SIP | Enquête |
 |
4304-680LF | CTS Electronic Components | CAP FEEDTHRU AXIAL | Enquête |
|
4304M-101-103LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 10K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304-681LF | CTS Electronic Components | CAP FEEDTHRU 5PF 200V AXIAL | Enquête |
|
4304M-101-222 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 2.2K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-303 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 30K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-104LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 100K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-221 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 220 OHM 4SIP | Enquête |
|
4304H-102-302 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 3K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-104 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 100K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-472 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 4.7K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-103 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 10K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-221LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 220 OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-202LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 2K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-224 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 220K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-223 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 22K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-222LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 2.2K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304-681 | CTS Electronic Components | CAP FEEDTHRU 5PF 200V AXIAL | Enquête |
|
4304M-101-472LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 4.7K OHM 4SIP | Enquête |
|
4304M-101-102 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 1K OHM 4SIP | Enquête |
Latest Nouvelles
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires