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2SD2695,T6F(J
- Modèle de produit:
- 2SD2695,T6F(J
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS NPN 2A 60V TO226-3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 38364 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 2SD2695,T6F(J.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-92MOD |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 900mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Autres noms: | 2SD2695T6F(J 2SD2695T6FJ |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 2000 @ 1A, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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