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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2SD2607FU6
2SD2607FU6
2SD2607FU6
Modèle de produit:
2SD2607FU6
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45855 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
2SD2607FU6.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):8A
Tension - Ventilation:TO-220FN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:100V
Séries:-
État RoHS:Bulk
Resistor - Base (R1) (Ohms):40MHz
Puissance - Max:2W
Polarisation:TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:2SD2607FU6
Fréquence - Transition:1000 @ 2A, 3V
Description élargie:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 40MHz 2W Through Hole TO-220FN
La description:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:10µA (ICBO)
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1.5V @ 6mA, 3A
Courant - Collecteur (Ic) (max):NPN - Darlington
Email:[email protected]

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