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2SD2406-Y(F)
- Modèle de produit:
- 2SD2406-Y(F)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 35166 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 2SD2406-Y(F).pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 300mA, 3A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-220NIS |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 25W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 Full Pack |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 8MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 8MHz 25W Through Hole TO-220NIS |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 500mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 30µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 4A |
| Email: | [email protected] |
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