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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2SD19960RA
2SD19960RA
2SD19960RA
Modèle de produit:
2SD19960RA
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS NPN 20V 0.5A MT-1
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
40498 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
2SD19960RA.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 20mA, 500mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:MT-1-A1
Séries:-
Puissance - Max:600mW
Emballage:Tape & Box (TB)
Package / Boîte:3-SIP
Autres noms:2SD1996-R(TA)
2SD19960RATB
2SD1996RTA
2SD1996RTB
2SD1996RTB-ND
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:200MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 500mA 200MHz 600mW Through Hole MT-1-A1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Numéro de pièce de base:2SD1996
Email:[email protected]

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