2SB817C-1E
2SB817C-1E
Modèle de produit:
2SB817C-1E
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PNP 140V 12A
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
51442 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
2SB817C-1E.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):140V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:2V @ 500mA, 5A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-3P-3L
Séries:-
Puissance - Max:120W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms:2SB817C-1E-ND
2SB817C-1EOS
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:2 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:10MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):12A
Email:[email protected]

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