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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2N3583
2N3583
2N3583
Modèle de produit:
2N3583
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
TRANS NPN 175V 1A TO-66
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
39812 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
2N3583.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):175V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:5V @ 125mA, 1A
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-66
Séries:-
Puissance - Max:35W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-213AA, TO-66-2
Autres noms:2N3583 LEAD FREE
2N3583 PBFREE
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:10MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 175V 1A 10MHz 35W Through Hole TO-66
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 500mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):1A
Email:[email protected]

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