1N916B
1N916B
Modèle de produit:
1N916B
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
20541 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1N916B.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1V @ 20mA
Tension - inverse (Vr) (max):100V
Package composant fournisseur:DO-35
La vitesse:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):4ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:2 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr:5µA @ 75V
Courant - Rectifié moyenne (Io):200mA
Capacité à Vr, F:2pF @ 0V, 1MHz
Numéro de pièce de base:1N916
Email:[email protected]

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