1N649-1
1N649-1
Modèle de produit:
1N649-1
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
53894 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1N649-1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1V @ 400mA
Tension - inverse (Vr) (max):600V
Package composant fournisseur:DO-35
La vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries:-
Emballage:Bulk
Package / Boîte:DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr:50nA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io):400mA
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

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