1N5625-TAP est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 1N5625-TAP, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 1N5625-TAP par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 1N5625-TAP avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
1N5625-TAP
- Modèle de produit:
- 1N5625-TAP
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 58853 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1N5625-TAP.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1V @ 3A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 400V |
| Package composant fournisseur: | SOD-64 |
| La vitesse: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 7.5µs |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | SOD-64, Axial |
| Autres noms: | 1N5625-TAP-ND 1N5625-TAPGITB |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Avalanche |
| Description détaillée: | Diode Avalanche 400V 3A Through Hole SOD-64 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1µA @ 200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 3A |
| Capacité à Vr, F: | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 1N5625-TAP
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash