1N5553US
1N5553US
Modèle de produit:
1N5553US
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
26840 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1N5553US.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.2V @ 9A
Tension - inverse (Vr) (max):800V
Package composant fournisseur:B, SQ-MELF
La vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):2µs
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SQ-MELF, B
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 800V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr:1µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io):3A
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

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