1N483BTR
1N483BTR
Modèle de produit:
1N483BTR
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
34387 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1N483BTR.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1V @ 100mA
Tension - inverse (Vr) (max):80V
Package composant fournisseur:DO-35
La vitesse:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction:175°C (Max)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 80V 200mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr:25nA @ 60V
Courant - Rectifié moyenne (Io):200mA
Capacité à Vr, F:-
Numéro de pièce de base:1N483
Email:[email protected]

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