11LC161T-I/MNY est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour 11LC161T-I/MNY, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour 11LC161T-I/MNY par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez 11LC161T-I/MNY avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
11LC161T-I/MNY
- Modèle de produit:
- 11LC161T-I/MNY
- Fabricant:
- Micrel / Microchip Technology
- La description:
- IC EEPROM 16K SINGLE WIRE 8TDFN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 51064 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.11LC161T-I/MNY.pdf2.11LC161T-I/MNY.pdf3.11LC161T-I/MNY.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 5ms |
| Tension - Alimentation: | 2.5 V ~ 5.5 V |
| La technologie: | EEPROM |
| Package composant fournisseur: | 8-TDFN (2x3) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 16Kb (2K x 8) |
| Interface mémoire: | Single Wire |
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 5 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | EEPROM Memory IC 16Kb (2K x 8) Single Wire 100kHz 8-TDFN (2x3) |
| Fréquence d'horloge: | 100kHz |
| Numéro de pièce de base: | 11LC161 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 11LC161T-I/MNY
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement