Y162512K5000Q23R está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para Y162512K5000Q23R, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para Y162512K5000Q23R por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre Y162512K5000Q23R con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
Y162512K5000Q23R
- Número de pieza:
- Y162512K5000Q23R
- Fabricante:
- Descripción:
- RES SMD 12.5KOHM 0.02% 0.3W 1206
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 51486 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- Y162512K5000Q23R.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Clasificación de voltaje - CA: | - |
| Tensión - Trabajo: | 0.3W |
| Tensión - Desglose: | 1206 |
| Espesor (máx): | ±0.2ppm/°C |
| Tamaño / Medidas: | 0.126" L x 0.062" W (3.20mm x 1.57mm) |
| Serie: | VSMP |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polarización: | 1206 (3216 Metric) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | Y162512K5000Q23R |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.025" (0.64mm) |
| Caracteristicas: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| FIFO de: | 2 |
| Descripción ampliada: | 12.5k Ohm ±0.02% 0.3W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Moisture Resistant, Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (Resistencia serie equivalente): | ±0.02% |
| Descripción: | RES SMD 12.5KOHM 0.02% 0.3W 1206 |
| Revestimientos, Tipo de Vivienda: | Metal Foil |
| Ancho de banda: | 12.5k |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de Y162512K5000Q23R
Latest Noticias
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial