VWRBS2-D12-S3.3-SIP está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para VWRBS2-D12-S3.3-SIP, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para VWRBS2-D12-S3.3-SIP por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre VWRBS2-D12-S3.3-SIP con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
VWRBS2-D12-S3.3-SIP
- Número de pieza:
- VWRBS2-D12-S3.3-SIP
- Fabricante:
- CUI, Inc.
- Descripción:
- DC DC CONVERTER 3.3V 2W
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 46810 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- VWRBS2-D12-S3.3-SIP.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Salida de voltaje - 3: | - |
| Tensión - Salida 2: | - |
| Salida de voltaje - 1: | 3.3V |
| Voltaje - Aislamiento: | 1.5kV |
| Tensión - Entrada (Min): | 9V |
| Tensión - Entrada (Max): | 18V |
| Tipo: | Isolated Module |
| Tamaño / Medidas: | 0.87" L x 0.37" W x 0.47" H (22.0mm x 9.5mm x 12.0mm) |
| Serie: | VWRBS2-SIP |
| Potencia (W): | 2W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-SIP Module, 7 Leads |
| Otros nombres: | 102-1702 VWRBS2-D12-S3-SIP VWRBS2D12S3.3SIP |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Número de salidas: | 1 |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caracteristicas: | SCP |
| Eficiencia: | 72% |
| Descripción detallada: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 3.3V 500mA 9V - 18V Input |
| Corriente - Salida (Max): | 500mA |
| aplicaciones: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de VWRBS2-D12-S3.3-SIP
Latest Noticias
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido