VS-MBR160 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para VS-MBR160, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para VS-MBR160 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre VS-MBR160 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
VS-MBR160
- Número de pieza:
- VS-MBR160
- Fabricante:
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 58570 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- VS-MBR160.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1A |
| Tensión - Desglose: | DO-204AL (DO-41) |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Otros nombres: | *MBR160 MBR160 MBR160-ND |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | VS-MBR160 |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 60V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) |
| configuración de diodo: | 500µA @ 60V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 750mV @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 60V |
| Capacitancia Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de VS-MBR160
Latest Noticias
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido