VS-25ETS10STRRPBF está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para VS-25ETS10STRRPBF, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para VS-25ETS10STRRPBF por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre VS-25ETS10STRRPBF con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
VS-25ETS10STRRPBF
- Número de pieza:
- VS-25ETS10STRRPBF
- Fabricante:
- Descripción:
- DIODE RECT 25A 1000V D2PAK
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 43215 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- VS-25ETS10STRRPBF.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 25A |
| Tensión - Desglose: | TO-263AB (D²PAK) |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | VS25ETS10STRRPBF |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | VS-25ETS10STRRPBF |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1000V (1kV) 25A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| configuración de diodo: | 100µA @ 1000V |
| Descripción: | DIODE RECT 25A 1000V D2PAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.14V @ 25A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 1000V (1kV) |
| Capacitancia Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de VS-25ETS10STRRPBF
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga