VS-10WQ045FNHM3 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para VS-10WQ045FNHM3, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para VS-10WQ045FNHM3 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre VS-10WQ045FNHM3 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
VS-10WQ045FNHM3
- Número de pieza:
- VS-10WQ045FNHM3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 23987 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- VS-10WQ045FNHM3.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 630mV @ 10A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 45V |
| Paquete del dispositivo: | TO-252, (D-Pak) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | VS10WQ045FNHM3 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 34 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Schottky 45V 10A Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1mA @ 45V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de VS-10WQ045FNHM3
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash