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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR412200A
UNR412200A
UNR412200A
Número de pieza:
UNR412200A
Fabricante:
Panasonic
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
47836 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
UNR412200A.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:NS-B1
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potencia - Max:300mW
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:3-SSIP
Otros nombres:UNR412200ACT
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 100mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):1µA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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