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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR211E00L
UNR211E00L
UNR211E00L
Número de pieza:
UNR211E00L
Fabricante:
Panasonic
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Estado sin plomo:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad de stock:
23780 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
UNR211E00L.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:Mini3-G1
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:UN211E-(TX)
UN211E-TX
UN211ETR
UN211ETR-ND
UNR211E00LTR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición:150MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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