UMC4N-7 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para UMC4N-7, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para UMC4N-7 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre UMC4N-7 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
UMC4N-7
- Número de pieza:
- UMC4N-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 22459 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- UMC4N-7.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-353 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms, 10 kOhms |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Otros nombres: | UMC4N-7-ND UMC4N-7DITR UMC4N7 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 250MHz |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número de pieza base: | MC4 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de UMC4N-7
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga