UDT020A0X3-SRZ está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para UDT020A0X3-SRZ, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para UDT020A0X3-SRZ por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre UDT020A0X3-SRZ con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
UDT020A0X3-SRZ
- Número de pieza:
- UDT020A0X3-SRZ
- Fabricante:
- GE Critical Power
- Descripción:
- DC DC CONVERTER 0.5-5.5V 20A
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 57380 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- UDT020A0X3-SRZ.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Salida de voltaje - 3: | - |
| Tensión - Salida 2: | - |
| Salida de voltaje - 1: | 0.5 ~ 5.5 V |
| Tensión - Entrada (Min): | 3V |
| Tensión - Entrada (Max): | 14.4V |
| Tipo: | Non-Isolated PoL Module, Digital |
| Tamaño / Medidas: | 0.80" L x 0.45" W x 0.33" H (20.3mm x 11.4mm x 8.5mm) |
| Serie: | MicroDLynx™ |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 16-SMD Module |
| Otros nombres: | 555-1256-2 CC109159728 UDT020A0X3SRZ |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Número de salidas: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caracteristicas: | Digital with Remote On/Off and UVLO |
| Eficiencia: | 95.2% |
| Descripción detallada: | Non-Isolated PoL Module, Digital DC DC Converter 1 Output 0.5 ~ 5.5 V 20A 3V - 14.4V Input |
| Corriente - Salida (Max): | 20A |
| aplicaciones: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de UDT020A0X3-SRZ
Latest Noticias
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido