TYS4030680M-10 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para TYS4030680M-10, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para TYS4030680M-10 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre TYS4030680M-10 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
TYS4030680M-10
- Número de pieza:
- TYS4030680M-10
- Fabricante:
- Laird Technologies
- Descripción:
- FIXED IND 68UH 520MA 1.128 OHM
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 49208 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- TYS4030680M-10.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±20% |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
| blindaje: | Shielded |
| Serie: | TYS4030 |
| calificaciones: | - |
| Q según frecuencia: | - |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | Nonstandard |
| Otros nombres: | 240-2701-6 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Núcleo: | - |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 100kHz |
| Inductancia: | 68µH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.118" (3.00mm) |
| Frequency - Self Resonant: | 7MHz |
| Descripción detallada: | 68µH Shielded Wirewound Inductor 520mA 1.128 Ohm Max Nonstandard |
| Resistencia de CC (DCR): | 1.128 Ohm Max |
| Valoración actual: | 520mA |
| Corriente - Saturación: | 720mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de TYS4030680M-10
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga