TPS76601DR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para TPS76601DR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para TPS76601DR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre TPS76601DR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
TPS76601DR
- Número de pieza:
- TPS76601DR
- Fabricante:
- TI
- Descripción:
- IC REG LIN POS ADJ 250MA 8SOIC
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 47273 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- TPS76601DR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Caída de tensión (máx.): | - |
| Voltaje - Salida (Min / Fijo): | 1.25V |
| Salida de voltaje - (Max): | 5.5V |
| Tensión - Entrada (Max): | 10V |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Características de protección: | Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| PSRR: | 63dB (1kHz) |
| Tipo de salida: | Adjustable |
| Configuración de salida: | Positive |
| Otros nombres: | 296-41774-2 TPS76601DR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C |
| Cantidad de reguladores: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable 1 Output 1.25 V ~ 5.5 V 250mA 8-SOIC |
| Actual - Quiescente (Iq): | 50µA |
| Corriente - Salida: | 250mA |
| Funciones de control: | Enable, Power Good |
| Número de pieza base: | TPS76601 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de TPS76601DR
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga