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TPCF8402(TE85L,F,M
- Número de pieza:
- TPCF8402(TE85L,F,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 28678 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.TPCF8402(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8402(TE85L,F,M.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo: | VS-8 (2.9x1.5) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 50 mOhm @ 2A, 10V |
| Potencia - Max: | 330mW |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | TPCF8402FDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.2A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A, 3.2A |
| Número de pieza base: | TPC*402 |
| Email: | [email protected] |
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