TLP266J(V4-TPL,E está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para TLP266J(V4-TPL,E, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para TLP266J(V4-TPL,E por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre TLP266J(V4-TPL,E con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
TLP266J(V4-TPL,E
- Número de pieza:
- TLP266J(V4-TPL,E
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRIAC COUPLER; ZC; VDE; SO6; TAP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 46625 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- TLP266J(V4-TPL,E.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Diámetro del eje (mm): | Yes |
| Tensión - Estado Off: | 600V |
| Voltaje - Aislamiento: | 3750Vrms |
| Voltaje hacia delante (Vf) (típico): | 1.27V |
| Activar hora: | 30µs |
| Estática dV / dt (Min): | 200V/µs |
| Serie: | TLP |
| Tipo de salida: | Triac |
| Otros nombres: | TLP266J(V4-TPLE |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 100°C |
| número de canales: | 1 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Optoisolator Triac Output 3750Vrms 1 Channel |
| Corriente - En estado (It (RMS)) (Max): | 70mA |
| Corriente - LED Trigger (Ift) (Max): | 10mA |
| Corriente - Hold (Ih): | 600µA (Typ) |
| Corriente - Avance DC (Si) (Máx.): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de TLP266J(V4-TPL,E
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos