TIP117 TIN/LEAD está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para TIP117 TIN/LEAD, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para TIP117 TIN/LEAD por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre TIP117 TIN/LEAD con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
TIP117 TIN/LEAD
- Número de pieza:
- TIP117 TIN/LEAD
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PN P 100V TO220
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 34300 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- TIP117 TIN/LEAD.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 100V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 2.5V @ 8mA, 2A |
| Tipo de transistor: | PNP - Darlington |
| Paquete del dispositivo: | TO-220 |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Otros nombres: | TIP117CS |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frecuencia - Transición: | 25MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 25MHz Through Hole TO-220 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 1A, 4V |
| Corriente - corte del colector (Max): | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de TIP117 TIN/LEAD
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos