TH58BYG2S3HBAI6 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para TH58BYG2S3HBAI6, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para TH58BYG2S3HBAI6 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre TH58BYG2S3HBAI6 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
TH58BYG2S3HBAI6
- Número de pieza:
- TH58BYG2S3HBAI6
- Fabricante:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Descripción:
- IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 54284 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- TH58BYG2S3HBAI6.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 25ns |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnología: | FLASH - NAND (SLC) |
| Paquete del dispositivo: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Serie: | Benand™ |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 67-VFBGA |
| Otros nombres: | TH58BYG2S3HBAI6JDH TH58BYG2S3HBAI6YCL |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
| Tiempo de acceso: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de TH58BYG2S3HBAI6
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga