TDF8599BTH/N1CY está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para TDF8599BTH/N1CY, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para TDF8599BTH/N1CY por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre TDF8599BTH/N1CY con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
TDF8599BTH/N1CY
- Número de pieza:
- TDF8599BTH/N1CY
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- I2C-BUS CONTROLLED DUAL CHANNEL
- Cantidad de stock:
- 59725 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- TDF8599BTH/N1CY.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 8 V ~ 24 V |
| Tipo: | Class D |
| Serie: | - |
| Tipo de salida: | 1-Channel (Mono) or 2-Channel (Stereo) |
| Otros nombres: | 935306578518 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Potencia máxima de salida x canales de carga: | 150W x 1 @ 2 Ohm; 70W x 2 @ 4 Ohm |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 30 Weeks |
| Caracteristicas: | Depop, Differential Inputs, I²C, Mute, Short-Circuit and Thermal Protection |
| Descripción detallada: | Amplifier IC 1-Channel (Mono) or 2-Channel (Stereo) Class D |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de TDF8599BTH/N1CY
Latest Noticias
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial