SY89311UMI-TR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SY89311UMI-TR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SY89311UMI-TR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SY89311UMI-TR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SY89311UMI-TR
- Número de pieza:
- SY89311UMI-TR
- Fabricante:
- Micrel / Microchip Technology
- Descripción:
- IC CLK BUFFER 1:2 3GHZ 8MLF
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 37194 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SY89311UMI-TR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 2.375 V ~ 5.5 V |
| Tipo: | Fanout Buffer (Distribution) |
| Paquete del dispositivo: | 8-MLF® (2x2) |
| Serie: | Precision Edge® |
| Relación - Entrada: Salida: | 1:2 |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-VFDFN Exposed Pad, 8-MLF® |
| Salida: | ECL, PECL |
| Otros nombres: | SY89311UMI TR SY89311UMI TR-ND SY89311UMITR SY89311UMITR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Número de circuitos: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Entrada: | ECL, PECL |
| Frecuencia - Max: | 3GHz |
| Diferencial - Entrada: salida: | Yes/Yes |
| Descripción detallada: | Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 1:2 3GHz 8-VFDFN Exposed Pad, 8-MLF® |
| Número de pieza base: | SY89311 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SY89311UMI-TR
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash