STW69N65M5-4
STW69N65M5-4
Número de pieza:
STW69N65M5-4
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
28924 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
STW69N65M5-4.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247-4L
Serie:MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs:45 mOhm @ 29A, 10V
La disipación de energía (máximo):330W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-4
Otros nombres:497-14039-5
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6420pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:143nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción detallada:N-Channel 650V 58A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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