STPSC6TH13TI está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para STPSC6TH13TI, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para STPSC6TH13TI por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre STPSC6TH13TI con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
STPSC6TH13TI
- Número de pieza:
- STPSC6TH13TI
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descripción:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 22835 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.STPSC6TH13TI.pdf2.STPSC6TH13TI.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.75V @ 6A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AB Insulated |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Otros nombres: | 497-14199-5 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| configuración de diodo: | 1 Pair Series Connection |
| Descripción detallada: | Diode Array 1 Pair Series Connection Silicon Carbide Schottky 650V 6A Through Hole TO-220-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 60µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 6A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de STPSC6TH13TI
Latest Noticias
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash